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Índice h | 42 | 28 |
Índice i10 | 148 | 87 |
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Coautores
- Kwangsoo NoKAISTEmail confirmado em kaist.ac.kr
- Hyunjung ShinSungkyunkwan UniversityEmail confirmado em skku.edu
- Dong-Ki MinSamsung electronicsEmail confirmado em samsung.com
- Nava SetterDepartment of Materials Science and Engineering, Tel Aviv UniversityEmail confirmado em post.tau.ac.il
- Yunseok KimSungkyunkwan University (SKKU)Email confirmado em skku.edu
- Jaegyu KimPostdoctoral Researcher, UC BerkeleyEmail confirmado em berkeley.edu
- Enrico CollaInstitute of Materials, EPFL, LausanneEmail confirmado em infoprint.ch
- Charudatta PhatakMaterials ScientistEmail confirmado em anl.gov
- Ram S. KatiyarProfessor of Physics,University of Puerto Rico, San Juan, PR, USAEmail confirmado em upr.edu
- Stephen StreifferStanford UniversityEmail confirmado em stanford.edu
- Y. Eugene PakDepartment of Mechanical Engineering, SUNY KoreaEmail confirmado em sunykorea.ac.kr
- Hongsik ParkProfessor, School of Electronics Engineering, Kyungpook National UniversityEmail confirmado em ee.knu.ac.kr
- A TagantsevEPFLEmail confirmado em epfl.ch
- Igor StolichnovEPFL (École Polytechnique Fédérale de Lausanne), Lausanne, SwitzerlandEmail confirmado em epfl.ch
- Jiwon YeomSAITEmail confirmado em samsung.com
- Orlando AucielloProfessor at University of Texas at DallasEmail confirmado em utdallas.edu
- Yogesh SharmaEmail confirmado em lanl.gov
- Tae hyun SungHanyang university, prof.Email confirmado em ehanyang.ac.kr
- Jongin HongChung-Ang UniversityEmail confirmado em cau.ac.kr
- Radhe AgarwalPostdoctoral Research Scientist, Drexel UniversityEmail confirmado em drexel.edu