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Índice h | 29 | 17 |
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Coautores
- Dmytro ApalkovSr. Principal Engineer/Sr. Director, Modeling, Samsung Semiconductor R&DEmail confirmado em samsung.com
- Alexey KhvalkovskiyMoscow Institute of Physics and Technology, State UniversityEmail confirmado em phystech.edu
- Eugene ChenSamsung, Grandis, Cypress Semiconductor, Motorola, NVEEmail confirmado em samsung.com
- Daniel LottisSelfEmail confirmado em ieee.org
- Nitin SamarthVerne M. Willaman Professor of Physics, Professor of Materials Science/Engineering, Penn StateEmail confirmado em psu.edu
- Jeremy LevyUniversity of PittsburghEmail confirmado em levylab.org
- Paul A. CrowellUniversity of MinnesotaEmail confirmado em umn.edu
- Tim MewesDepartment of EnergyEmail confirmado em ieee.org
- SA WolfUniversity of VirginiaEmail confirmado em virginia.edu
- avik W ghoshProfessor, University of Virginia, Electrical EngineeringEmail confirmado em virginia.edu
- Mircea R. StanVirginia Microelectronics Consortium (VMEC) Professor, University of VirginiaEmail confirmado em virginia.edu
- S. Joseph PoonUniversity of VirginiaEmail confirmado em virginia.edu
- Thibaut DevolderCentre de Nanosciences et de Nanotechnologies (Orsay, France)Email confirmado em u-psud.fr
- Jay A. Guptaohio state university, professor of physicsEmail confirmado em physics.osu.edu
- Jiwei LuAFOSR